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手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告

2025-4-17 22:49:00
  • 5G手机主板局部温度突破95℃(快充芯片/射频前端/图像处理器区域)


手机心脏的"烤"验战场

手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告

5G手机主板局部温度突破95℃(快充芯片/射频前端/图像处理器区域)

"当你的手机:

边快充边玩《悟空》时 →电感温度飙升至110℃


4K视频连续拍摄时 →电感持续工作在85℃+


地铁刷剧1小时后 →主板形成局部高温区


传统电感正在经历材料疲劳的隐形崩塌..."

手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告

1. 实验标准对比(严于车载产品标准)


手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告


2. 实验前后形态对比(产品内、外部无开裂情形)



3、性能验证:同规格产品与某台系规格参数比对试验后平均降幅小

手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告

· L值测试设备:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)


· DCR值测试设备:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)




手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告




4、技术解析:为何能通过地狱级考验?



① 材料革命


160℃高温测试材料磁导率变化曲线:(250H~1000H材料变化率低)

手机高温禁区突围!英麦科半导体薄膜电感160℃·1000H极限实验可靠性实证报告


② 成型工艺对比



英麦科-液态等静压成型工艺


全方位温度压力控制:


外层/核心层:200℃快速固化→形成保护壳,消除内应力


VS


台系品牌-机械模压成型工艺


传统机械式模压


成型压力:6吨、20吨、30吨、60吨


单颗产品受力约400~500kg,受模具影响,


产品受力不均,线圈易变形,且居中度不佳



③ 材料对比



英麦科—耐高温介质材料


玻璃化转变温度(Tg):280℃(竞品180℃)


热膨胀系数(CTE):2.8ppm/℃(竞品5.5ppm/℃)


VS


其他品牌——常规材料,磷化工艺搭配树脂混合使用



可靠性提升公式


MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常规)


(ΔT=验证温差35℃ → 理论寿命提升32倍)