分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 沟道，耗尽型
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
146 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
