2024年，第三代半导体行业经历了快速发展与挑战并存的一年。在清洁能源、新能源汽车等传统应用场景持续渗透的同时，行业也迎来了数据中心电源、机器人、低空经济等新兴领域的需求增长。然而，随着碳化硅（SiC）行业的大规模扩产，市场需求增速低于预期，行业竞争加剧，部分企业未能熬过淘汰赛阶段。以下是2024年全球碳化硅和氮化镓（GaN）领域的十大重大事件盘点：
1. 两家美国垂直GaN初创公司倒闭
2024年初，美国两家专注于垂直GaN器件的初创公司接连倒闭：
NexGen Power Systems于1月宣布破产。
Odyssey于3月出售晶圆厂资产后解散。
垂直GaN器件因采用GaN单质衬底，具备高性能和可靠性，但高昂的制造成本成为商业化的主要障碍。尽管学术界提出了基于SiC衬底的解决方案，但成本难题仍未解决，最终导致这些公司在量产前倒下。
2. PI收购Odyssey资产
2024年5月，**PI（Power Integrations）**宣布收购Odyssey的全部资产，并吸纳其核心技术团队。PI计划将高电流高电压GaN技术商业化，用于取代碳化硅器件，特别是在汽车充电桩、太阳能逆变器等应用中，以更低成本提供更高性能。
3. 功率GaN进入1700V时代
2024年，GaN器件耐压性能进一步提升：
致能科技与西安电子科技大学等合作，在6英寸蓝宝石衬底上成功研发出1700V GaN HEMT器件。
PI推出全球首款1700V GaN开关IC（InnoMux-2系列），适用于汽车充电桩、太阳能逆变器等高功率应用，进一步推动GaN器件在高压市场的渗透。
4. 比亚迪新建全球最大碳化硅工厂
2024年6月，比亚迪宣布其新建的碳化硅工厂预计下半年投产，产能规模为全球第一，是第二名的十倍。
比亚迪已在碳化硅领域实现全产业链布局，具备从SiC晶圆到功率模块的完整能力。其1200V SiC功率模块已应用于新能源汽车，未来产能提升将进一步增强其市场竞争力。
5. 英飞凌启用全球最大SiC晶圆厂
2024年8月，英飞凌位于马来西亚居林的8英寸SiC晶圆厂一期项目正式投产，投资额高达20亿欧元。该工厂获得约50亿欧元设计订单，其中10亿欧元为预付款。
然而，由于市场需求放缓，英飞凌于11月宣布推迟居林工厂二期建设计划，并下调2025财年的资本支出。
6. Wolfspeed搁置德国SiC工厂计划
2024年10月，Wolfspeed宣布无限期搁置其在德国萨尔州的30亿美元SiC晶圆厂建设计划。尽管此前与采埃孚合作建立联合实验室，但因融资问题和市场需求疲软，该项目被推迟至2025年后再启动。
7. SiC衬底进入12英寸时代
2024年，碳化硅衬底技术取得突破：
天岳先进发布首款300mm（12英寸）碳化硅衬底。
博雅新材和中电科烁科晶体也分别展示了12英寸碳化硅晶锭和高纯半绝缘衬底。
12英寸衬底的应用将显著提升芯片产量并降低单位成本，为碳化硅的大规模应用奠定基础。
8. 安森美收购UnitedSiC
2024年12月，安森美以1.15亿美元收购Qorvo旗下UnitedSiC业务，补充其EliteSiC产品线。
UnitedSiC的SiC JFET技术适用于数据中心电源的中小功率应用，安森美计划借此扩展AI数据中心和固态断路器等新兴市场的布局。
9. 世纪金光破产清算
2024年11月，北京世纪金光半导体有限公司因资金链断裂被法院受理破产清算。
作为国内最早的SiC IDM企业之一，世纪金光曾布局全产业链，并计划投资35亿元建设SiC芯片产线。然而，因市场竞争激烈和资金问题，最终未能走出困境。
