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NTMFS002P03P8ZT1G MOSFET PFET SO8FL -30V 2MO

2025-8-5 13:01:00
  • NTMFS002P03P8ZT1G 规格书资料

NTMFS002P03P8ZT1G MOSFET PFET SO8FL -30V 2MO

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 263 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 217 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 138.9 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

产品类型: MOSFETs

系列: NTMFS002P03P8Z

1500

子类别: Transistors