制造商: STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 535 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
资格: AEC-Q100
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量：30
子类别: IGBTs
单位重量: 6.100 g
