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K4B2G1646F-BYMA存储IC

2024-12-8 14:00:00
  • K4B2G1646F-BYMA存储IC

K4B2G1646F-BYMA存储IC

K4B2G1646F-BYMA 是三星公司生产的一款 DDR3 存储芯片。其主要特点如下:

基本参数:

存储容量:为 2Gb,即 256MB(按照 8 位数据宽度计算),组织形式为 128M×16,意味着该芯片具有 128M(128×1024×1024 = 134217728)个存储单元,每个存储单元的宽度为 16 位。

封装形式:采用 96 球 FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,这种封装具有体积小、引脚间距小、信号传输速度快等优点,适用于对空间要求较高的电子设备。

工作电压:支持 1.35V(1.28V~1.45V)或 1.5V(1.425V~1.575V)的单电源供电,以及 1.35V(1.28V~1.45V)或 1.5V(1.425V~1.575V)的 VDDQ 供电,能够满足不同电路设计的电压需求。

性能指标:

数据传输速率:具有较高的数据传输速率,可实现高速双倍数据速率传输,例如在 933MHz 的时钟频率(fck)下,传输速率可达 1866MB/s/pin。

延迟特性:可编程 CAS 延迟(CAS Latency)为 5、6、7、8、9、10、11、13 等不同的值,可编程附加延迟为 0、CL-2 或 CL-1 时钟,可编程 CAS 写延迟(CWL)根据不同的工作频率有不同的设置,如 DDR3-800 对应 5,DDR3-1066 对应 6 等。

其他特性:具有 8 个存储体(banks),支持突发长度为 8 或 4,支持双向差分数据选通、内部自校准(通过 ZQ 引脚进行)、使用 ODT 引脚进行裸片端接、异步复位等功能。

工作温度范围:支持工业温度范围,一般为 -40℃至 95℃。

该存储芯片广泛应用于各种电子设备,如电脑、服务器、网络设备、通信设备等,用于存储程序代码、数据等信息。