零件状态在售
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）80 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）20 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1260 pF @ 25 V
FET 功能-功率耗散（最大值）75W（Tj）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装
DPAK封装/外壳TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号NTD25
