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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 135 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
系列: XPB042N10
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 70 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 71 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPB043N10NF2S SP005741998
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