2SJ652-1E这款芯片的主要参数，其详细信息如下：
- 制造商：ON Semiconductor
- 产品种类：MOSFET
- RoHS：是
- 技术：Si
- 安装风格：Through Hole
- 封装/箱体：TO-220-3
- 通道数量：1 Channel
- 晶体管极性：P-Channel
- Vds-漏源极击穿电压：60V
- Id-连续漏极电流：28A
- Rds On-漏源导通电阻：28.5mOhms
- Vgs-栅极-源极电压：20V
- Qg-栅极电荷：80nC
- 最小工作温度：-55°C
- 最大工作温度：+150°C
- Pd-功率耗散：30W
- 配置：Single
- 封装：Tube
- 系列：2SJ652
- 晶体管类型：1P-Channel
- 商标：ON Semiconductor
- 下降时间：180ns
- 产品类型：MOSFET
- 上升时间：210ns
- 工厂包装数量：50
- 子类别：MOSFETs
- 典型关闭延迟时间：310ns
- 典型接通延迟时间：33ns
- 单位重量：6g
