MSD1819A-R通用和低VCE晶体管

onsemi MSD1819A-R通用和低VCE 晶体管设计用于放大器应用。该NPN晶体管具有210至460的大电流增益（hFE）和低VCE <_0.5V。NPN晶体管采用SC-70/SOT-323封装，设计用于低功耗表面贴装应用。硅外延平面晶体管符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这款低VCE 晶体管不含铅、卤素/BFR。典型应用包括电池反向保护、直流-直流转换器输出驱动器和高速开关。
特性

_湿度灵敏性等级：1级(MSL 1)
_ESD 保护：
_人体模型>_4000V
_机器模型>_400V
_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

_无铅、无卤/无BFR
_符合RoHS指令

规范

_高hFE，210至460
_低VCE(sat) ：<_0.5V
_集电极-基极和集电极-发射极电压：60VDC
_7V发射极-基极电压

_功率耗散：150mW
_集电极电流：
_100mADC - 连续
_200mADC - 峰值
_结温：150°C

应用

_反向电池保护
_直流－直流转换器输出驱动器

_高速切换