制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 255 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 310 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 86 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 700 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 4 g
