特性
_符合AEC-Q100标准
_高性能e200z4d双核
_32位Power Architecture技术CPU
_内核频率高达140MHz
_双指令5级流水线有序执行内核
_可变长度编码 (VLE)
_内核MPU
_浮点，端到端纠错
_8KB指令缓存，带错误检测代码
_32KB本地数据RAM和4KB数据缓存以及8KB指令缓存
_1600KB（1.5MB代码+ 64KB数据）片上闪存：支持编程和擦除操作期间的读取，以及允许EEPROM仿真的多个模块
_128KB片上RAM（96KB片上RAM + 32KB本地数据RAM）
_具有32个通道的多通道直接内存访问控制器 (eDMA)
_全面的新一代ASILD安全理念
_ASILD SEooC方法（不受环境影响的安全元件）
_用于收集和响应故障通知的FCCU
_内存错误管理单元 (MEMU)，用于收集和报告内存中的错误事件
_端到端纠错码 (e2eECC) 逻辑
_循环冗余校验 (CRC) 单元
_8个增强型12位SAR模拟转换器
_2组：3个ADC和1个监控器ADC
_转换时间：1.5μs（12MHz时）
_多达32个物理通道
_双可编程CTU
_4个通用eTimer单元（每个单元6个通道）
_4个FlexPWM单元
_2个单元（每个单元4个通道）用于电机控制，在控制系统之间进行硬件同步
_2个单元（每个单元2个通道）用于SWG仿真
_通信接口
_4个LINFlexD模块
_4个解串串行外设接口 (DSPI) 模块
_3个MCAN接口，具有先进的共享内存方案（对于MCAN0/2为808 x 32位字，对于MCAN1为520 x 32位字）和CAN-FD支持功能
_1个FlexRay模块，具有2个通道、128个消息缓冲区
_2个SENT接口（每个接口3个通道）
_双锁相环，具有用于外设的稳定时钟域和用于计算外壳的FM调制域
_Nexus Class 3调试和跟踪接口
_带BAF的片上CAN/UART引导加载程序 物理接口 (PHY) 可以为UART
_高级和灵活的电源方案
_用于1.2V内核逻辑电源的片上稳压器 支持旁路模式，用于外部1.2V内核逻辑电源
_3.3V或5V IO和ADC电源（可提供2个独立的电源域）
_结温范围：-40°C至150°C
