AHV85111 隔离式栅极驱动器经过优化，可在多种应用和拓扑中驱动 GaN FET。驱动器中集成了隔离式双正/负输出偏置电源，无需外部栅极驱动辅助偏置电源或高侧自举。双极输出轨具有可调节和稳压的正轨，可提高 dv/dt 抗扰度，大大简化系统设计，并通过减少总共模 (CM) 电容来降低 EMI。该器件还允许驱动开关电源拓扑中任何位置的浮动开关。
该驱动器具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力，可在高频设计中高效驱动 GaN FET。高 CMTI 以及用于偏置电源和驱动的隔离输出使该驱动器非常适合需要隔离、电平转换或接地隔离以实现抗噪性的应用。
该器件采用紧凑薄型表面贴装 NH 封装。集成保护包括初级和次级偏置轨上的欠压锁定 (UVLO)、IN 引脚和 OUTPD 引脚上的内部下拉、快速响应使能输入、过热关断以及 OUT 脉冲与使能后第一个 IN 上升沿同步（避免异步短脉冲）。
特性
变压器隔离栅
通电集成隔离偏置
无需高侧自举
无需外部次级侧偏置
符合 AEC-Q100 2 级标准
具有可调节正轨的双极驱动输出
内置初级侧 3.3VREF 偏置输出
传播延迟：50 ns
电源电压：10.8 V < VDRV < 13.2 V
使能引脚响应速度快
初级 VDRV 和次级 VSEC UVLO
连续导通能力：无需回收 IN 或为自举电容充电
CMTI：>100 V/ns dv/dt 抗扰度
爬电距离：8.4 mm
通过安全监管机构审核
5 kVRMS VISO，符合 UL 1577
瞬态隔离电压：8 kV pk VIOTM （最大）
工作隔离电压：1 kV pk（最大）
应用
AC/DC 和 DC/DC 转换器：图腾柱 PFC、LLC 半桥/全桥、SR 驱动器、多电平转换器和移相全桥
汽车：电动汽车充电器和 OBC
工业：数据中心、运输、机器人、音频和电机
清洁能源：微型、组串和太阳能逆变器
