FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.13A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 200 毫欧 @ 1.95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 10 nC @ 10 V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 200 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 400mW（Tj）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
