FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 161A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 3.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 50 nC @ 4.5 V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 4380 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 140W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号 IRLR7843
