场效应管(MOSFET) IPT007N06N Infineon(英飞凌)

2023-8-20 15:07:00
  • IPT007N06N Infineon(英飞凌)HSOF-8-1 30K现货供应

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 300 A

Rds On-漏源导通电阻: 750 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 216 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 5

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 22 ns

正向跨导 - 最小值: 160 S

高度: 2.4 mm

长度: 10.58 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 76 ns

典型接通延迟时间: 38 ns

宽度: 10.1 mm

零件号别名: SP001100158 IPT007N06NATMA1

单位重量: 771.020 mg