技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: PG-TO247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 2 kV
Id - C連續漏極電流: 123 A
Rds On - 漏-源電阻: 16.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 246 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 552 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSIC
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 24 ns
互導 - 最小值: 30 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
240
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 50 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
零件號別名: IMYH200R012M1H SP005427368
