场效应管(MOSFET) BSC080N03MSG Infineon(英飞凌)

2023-7-9 8:33:00
  • BSC080N03MSG Infineon(英飞凌) TDSON-8-5 20K现货供应,深圳市天卓伟业

场效应管(MOSFET) BSC080N03MSG   Infineon(英飞凌)

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 3

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 5.6 ns

正向跨导 - 最小值: 29 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.4 ns

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000311514 BSC8N3MSGXT BSC080N03MSGATMA1

单位重量: 180 mg