IRFR6215TRLPBF是国际整流器公司推出的一款N沟道MOSFET晶体管。以下是IRFR6215TRLPBF的一些主要芯片特性：

1. N沟道MOSFET晶体管：IRFR6215TRLPBF采用N沟道MOSFET晶体管结构，具有低导通电阻和高开关速度等特点，可实现高效的功率放大和开关控制。

2. 高电压：IRFR6215TRLPBF的最大漏极-源极电压为150V，可适用于高压电源和电机控制等应用。

3. 低导通电阻：IRFR6215TRLPBF的导通电阻为0.027Ω，可实现高效的功率放大和低功耗设计。

4. 高温性能：IRFR6215TRLPBF具有较高的工作温度范围（-55°C至175°C），可适应恶劣的工作环境和高温应用。

5. TO-252封装：IRFR6215TRLPBF采用TO-252封装，具有较小的尺寸和重量，适用于高密度PCB布局和轻量化设计。

6. 应用广泛：IRFR6215TRLPBF可用于各种功率电子应用，如电源管理、马达控制、照明控制、电动工具等。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 295 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 66 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 110 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg