场效应管(MOSFET) IPB530N15N3GATMA1 Infineon(英飞凌)

型号： IPB530N15N3GATMA1

品牌： Infineon(英飞凌)

封装： TO-263-3

描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：68W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：53mΩ@18A,10V