制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 190 mA
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 60 mS
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 112 mg
