制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 270 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
系列: STV270N4F3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 45 ns
正向跨导 - 最小值: 200 S
高度: 3.65 mm
长度: 7.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 180 ns
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 9.5 mm
单位重量: 2 g
