1 特性
1• 适用于汽车电子 应用
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
– 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温
度范围
– 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
– 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
• 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
的最小值为 50kV/μs，典型值为 100kV/μs（VCM =
1500V 时）
• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电
流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），
110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 短路期间的软关断 (STO)
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并
通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定
(UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下
默认输出低电平
• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK ”
• 安全及管理认证：
– 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-
10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 1420
VPK VIORM 增强型隔离
– 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS
隔离
– CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC
60601-1 终端设备标准
– 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV
认证
– GB4943.1-2011 CQC 认证
– 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进
行 CSA 认证
2 应用
• 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物
半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：
– 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
– 工业电机控制驱动
– 工业电源
– 太阳能逆变器
– 感应加热
