FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15600 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP023
