U74HC4051G-SOP16R-TG_UTC代理商导读
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三种方式进行封装包裹。
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UTF3055G-TO252R-TG
一旦OVP 发生，功率管关闭，如果过电压解除，系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
半导体行业从诞生至今 ，先后经历了三代材料的变更程 ，截至目前 ，功率半导体器件领域仍主要采 用以 Si 为代表的第一半导体材料 。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
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88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
U74LVC1G86G-SOT23.5R-TG 78L09MG-SOT89R-TG U74HC595AG-SOP16R-TG UPC817CG-LSOP4R-TG UT2305G-SC59.3R-TZ0G 。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
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在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
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