存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM
存储容量
256Mb
存储器组织
16M x 16
存储器接口
并联
时钟频率
166 MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
5.4 ns
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
54-TFBGA
供应商器件封装
54-TFBGA(8x8)
基本产品编号
IS42S16160
IS42S16160J-6BLI
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM
存储容量
256Mb
存储器组织
16M x 16
存储器接口
并联
时钟频率
166 MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
5.4 ns
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
54-TFBGA
供应商器件封装
54-TFBGA(8x8)
基本产品编号
IS42S16160