类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
UnitedSiC
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.4 毫欧 @ 80A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
164 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8374 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
714W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4
基本产品编号
UJ4SC075
