制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 65.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 26.5 nC, 34.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83.3 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 6 ns, 7 ns

正向跨导 - 最小值: 72 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns, 8 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: N - Channel

典型关闭延迟时间: 22 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns, 18 ns

单位重量: 506.600 mg