制造商 onsemi
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 111 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 18.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 942 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 600mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
