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场效应晶体管的特点

日期:2021/9/23 11:09:20
摘要:场效应晶体管(Field-effecttransistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的 电子元器件 。 场效应晶体管 依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。

什么是场效应晶体管?

场效应晶体管(Field-effecttransistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的
电子元器件

场效应晶体管
依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。


场效应晶体管
有时也被称为单极性晶体管,相对应的是双极性晶体管(Bipolar junction transistors,缩写:BJT)。由于半导体材料的限制,以及一段时期内双极性晶体管比场效应晶体管更容易生产制造,场效应晶体管的出现要比双极性晶体管更晚,但事实上,「场效应晶体管」的概念是要比「双极性晶体管」更早的。


场效应晶体管的组成


场效应晶体管
由各种半导体构成,目前而言,硅是最常见的。大部分的
场效应晶体管通过
传统的「块体半导体制造技术」生产制造,使用单晶半导体硅片作为反应区或沟道。

不常见体材料主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中,或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。

有机场效应晶体管基于有机半导体,常常用有机栅绝缘体和电极。


场效应晶体管的特点

(1)它是电压控制器件,通过栅源电压来控制漏极电流;

(2)输入端电流极小,输入电阻很大;

(3)利用多数载流子导电,所以它的温度稳定性比较好;

(4)
场效应晶体管
组成的放大电路,其电压放大系数会小于由三极管所组成的放大电路的电压放大系数;

(5)抗辐射能力强;

(6)噪声低。


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