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NCE40H12K NCE新洁能
属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 120A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 4mΩ @ 20A，10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 120W(Tc)
类型 N沟道
全新原装现货 NCE40H12K 场效应管MOSFET-N NCE新洁能
2025-8-8 15:30:00
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NCE40H12K NCE新洁能全系列
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