首页>商情资讯>企业新闻

SISH101DN-T1-GE3

2023-8-21 10:20:00
  • SISH101DN-T1-GE3

製造商: Vishay

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: PowerPAK-1212-8SH-8

晶體管極性: P-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V

Id - C連續漏極電流: 35 A

Rds On - 漏-源電阻: 7.2 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V

Qg - 閘極充電: 102 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 52 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: TrenchFET;_PowerPAK

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 P-Channel

品牌: Vishay Semiconductors

互導 - 最小值: 44 S

下降時間: 8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns

原廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 38 ns

標準開啟延遲時間: 12 ns