MOS管IXFK27N80Q IXYS/艾赛斯 代理原装现货，长期供应。欢迎来电咨询：18922814782雷小姐。

IXFK27N80Q 产品应用方案及技术支持。

IXFK27N80Q 产品价格及供货情况。

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 27 A

Rds On-漏源导通电阻: 320 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 170 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 W

通道模式: Enhancement

商标名: HiPerFET

封装: Tube

配置: Single

高度: 26.16 mm

长度: 19.96 mm

系列: HiPerFET

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: HiPerFET Power MOSFETS Q-CLASS

宽度: 5.13 mm

商标: IXYS

正向跨导 - 最小值: 20 S

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 28 ns

工厂包装数量: 25

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，机器人技术，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。

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