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PDF资料 参数列表：
IC编号 K4B4G1646E-BYMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3LP SDRAM
IC代码 256MX16 LPDDR3
脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35v
温度规格 INDUSTRIAL
速度 DDR3-1866 (933MHz @ CL=13， tRCD=13，tRP=13)
标准包装数量 1120
标准外箱 4000
潜在应用 ?MODULE MAKER/模组內存厂商
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Generation 6th Generation
Internal Banks 8 Banks
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