制造商 STMicroelectronics

数据列表 STN1NK60Z， STQ1NK60ZR

标准包装 4000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 SuperMESH?

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 欧姆 @ 400mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.9nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 94pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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