数据列表 MMBT8099LT1;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列 -
其它名称 MMBT8099LT1GOS
MMBT8099LT1GOS-ND
MMBT8099LT1GOSTR
规格
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 1mA，5V
功率 - 最大值 225mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
