数据列表 2N7002K

标准包装 3000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 TrenchFET

其它名称 2N7002K-T1-GE3-ND

2N7002K-T1-GE3TR

2N7002KT1GE3

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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