STT818B ST Trans GP BJT PNP 30V 3A 6-Pin SOT-23
STT818B产品详细规格
标准包装 3，000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 30V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 500mV @ 20mA， 2A
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 100 @ 500mA， 1V
功率 - 最大 1.2W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6
供应商器件封装 SOT-23-6L
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-23
类型 PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 3 A
最小直流电流增益 100@500mA@1V|100@2.5A@3V
最大集电极发射极饱和电压 0.15@5mA@0.5A|0.25@20mA@1.2A|0.5@20mA@2A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1200 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 3
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -65
最大功率耗散 1200
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and_Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 30
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.2W
匹配代码 STT818B
I（C ） 3A
V（ CEO ） 30V
单位包 3000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 3000
极化 PNP
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 100
V（ CBO ） 30V
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 3A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 500mV @ 20mA， 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 30V
供应商设备封装 SOT-23-6L
功率 - 最大 1.2W
封装/外壳 SOT-23-6
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 100 @ 500mA， 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 497-6589-1
类别 Bipolar Power
配置 Single Quad Collector
外形尺寸 1.3 x 3.05 x 1.75mm
身高 1.3mm
长度 3.05mm
最大的基射极饱和电压 1.2 V
最大集电极基极电压 30 V
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 SOT-23
宽度 1.75mm
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.21 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 30 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 3 A
集电极电流（ DC）（最大值） 3 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 1.2 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益（最小值） 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 100
集电极电流（DC ） 3 A
据运营商财经网消息，三大运营商5G商用放号时间推迟，推迟至9月20日前或者国庆后。消息称，三大运营商之所以推迟5G放号时间，是因为资金花费、覆盖率、技术难度等问题导致在5G建设上准备时间不足，不得不推迟。
据了解，5G投入比4G投入高很多，另外，由于5G技术采用的频段高，所以基站需求是4G基站需求的二至三倍。技术难度的问题让5G的建设时间不足。
中国电信董事长柯瑞文出席业绩发布会时表示，上半年中国电信资本开支为350亿元人民币，今年维持780亿资本开支指引不变，当中大约90亿元用于5G建设，在年底前将建设4万个5G基站，分布约50个城市。中国移动今年预计投入250亿元，计划在全国范围内建设超过5万个5G基站。中国联通预计投入80亿元，预期将建设4万个5G基站，计划在全国7个城市开通5G试验网。
5G基站建设成本很高，资本支出要高于4G基站投入的1.2-1.5倍。需要分阶段、分行情进行资金投入。
香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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据腾讯科技报道，2019年11月27日，小米集团公布2019年第三季度业绩报告，小米集团2019年第三季度总收入536.6亿元，同比增长5.53%，是小米创办以来总营收最高的季度。
不过，2019年第三季度的手机出货量为3210万台，略低于去年同期的3330万台。在营收方面，2019年第三季度手机业务营收为323亿元，也低于去年同期的350亿元。由此看来，在小米整个业务中，手机业务拖了其他业务的后腿。
同时IDC数据显示，第三季度小米在印度智能手机出货量1260万台，相比去年同期的1170万台增长8.5%，已经连续九个季度保持出货量第一。和国内市场相比，小米第三季度在国内智能手机出货量为970万台。这也就意味着，小米第三季度在印度的智能手机出货量已经超越中国，印度成为小米出货量最大的单一国家。
随着华为等各个手机厂商在国内的市场份额增大，小米在国内的压力确实与日俱增。不过，5G技术的到来可以说有望成为小米的转机，若能把握好该时机，小米就有希望扩大国内市场份额，将国内手机市场重新洗牌。
并且据小米财报披露，小米正在全力推进5G手机研发，研发投入不断加大，2019年第三季度小米研发支出20亿元，同比提升32.5%。小米第三季度营收增速为5.53%，而研发投入同比提升32.5%，研发投入增速大幅超越营收增速，也意味着小米对研发更加重视。
小米集团董事长兼CEO雷军此前表示，小米将全力推动5G手机的研发和推广，计划2020年推出10款以上的5G手机。
