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NDF04N60ZG数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 28 W
配置: Single
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 3.3 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
