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IPB120P04P4-04数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-P2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 52 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 49 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IPB120P04P404ATMA1 IPB12P4P44XT SP000842270
单位重量: 4 g
