3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第3代10纳米工艺的8Gb DDR4 DRAM，用于高端应用场景。
第三代10nm级工艺即1Z纳米（在内存制造中，X/Y/Z指代际，工艺区间是10~20nm），整合了EUV极紫外光刻技术，单芯片容量8Gb。
据了解，新的10纳米 DDR4与之前的1y-nm版本相比，它的制造效率提高了20%以上，并将以超高的性能和功率效率推动DRAM解决方案的极限。此外，第3代DDR4产品没有使用极端紫外线(EUV)处理，也拉高三星和竞争对手的生产门坎。
随着 1Z 纳米工艺产品问世，并成为业界最小的内存生产节点，目前三星已准备好用新的 1Z 纳米工艺 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求，生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20%_以上。
三星表示，1Z 纳米工艺 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年，以因应下一代企业服务器需求，并有望能在 2020 年支持新高阶个人计算机。此外，三星还表示，上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米工艺产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其在DRAM市场高端应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。
据悉，三星这款第3代10纳米工艺的8Gb DDR4 DRAM已经获得获得全球PC厂商的评估认证，量产后或将扩大全球客户需求。
不过，就在3月20日，三星电子联席CEO金基南也指出，由于智能机市场增长乏力，数据中心公司削减投资，公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。
