SI2333DDS-T1-GE3 单 P沟道 12V 0.028Ω 35nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
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SI2333DDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate， 1.5V Drive
漏极至源极电压（VDSS） 12V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 6A
Rds（最大）@ ID，VGS 28 mOhm @ 5A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 35nC @ 8V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1275pF @ 6V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16565?mpart=SI2333DDS-T1-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate， 1.5V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 5A (Ta)， 6A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 12V
标准包装 3，000
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 28 mOhm @ 5A， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
输入电容（Ciss ） @ VDS 1275pF @ 6V
闸电荷（Qg ） @ VGS 35nC @ 8V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2333DDS-T1-GE3CT
晶体管极性 :P Channel
Continuous Drain Current Id :-6A
Drain Source Voltage Vds :-12V
On Resistance Rds(on) :0.023ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :400mV
功耗 :1.7W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.00012
Tariff No. 85412900
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