属性

数值

通道类型

N

最大连续漏极电流

93 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

4.2 mΩ

最大栅阈值电压

2.2V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SO-8FL

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

48 W

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

22 nC @ 4.5 V

长度

5.1mm

典型输入电容值@Vds

3579 pF @ 15 V

尺寸

5.1 x 6.1 x 1.1mm

典型关断延迟时间

27.5 ns

晶体管材料

Si

宽度

6.1mm

每片芯片元件数目

1

高度

1.1mm

最高工作温度

+150 °C

典型接通延迟时间

16.3 ns