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AOD438,N-MOS,85A,30V,5.5m高端芯片热卖产品质量保证可提供样品

2020-11-9 10:32:00
  • AOD438,N-MOS,85A,30V,5.5m高端芯片热卖产品质量保证可提供样品

AOD438,N-MOS,85A,30V,5.5m

AOD438,N-MOS,85A,30V,5.5mAOD438,N-MOS,85A,30V,5.5m

AOD403产品详细规格

ide

AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Top

标准包装 2,500

FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压(VDSS) 30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 70A

Rds(最大)@ ID,VGS 6 mOhm @ 20A, 20V

VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 120nC @ 10V

输入电容(Ciss)@ Vds的 5300pF @ 15V

功率 - 最大 100W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)

包装材料 Tape & Reel (TR)

动态目录 P-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-standard-fets/16576?mpart=AOD403&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;

最大门源电压 ±25

安装 Surface Mount

包装宽度 6.1

PCB 2

最大功率耗散 90000

最大漏源电压 30

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 6.2@20V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 DPAK

标准包装名称 DPAK

最高工作温度 175

渠道类型 P

包装长度 6.6

引脚数 3

通道模式 Enhancement

包装高度 2.3

最大连续漏极电流 70

标签 Tab

铅形状 Gull-wing

FET特点 Standard

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 70A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 250μA

供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)

其他名称 785-1101-2

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6 mOhm @ 20A, 20V

FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 100W

标准包装 2,500

漏极至源极电压(Vdss) 30V

输入电容(Ciss ) @ VDS 5300pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS 120nC @ 10V

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant