IRLML6401TRPBF TI MOSFET 场效应管 12V 4.3A SOT-23 优势产品大量库存原装现货
IRLML6401TRPBF产品详细规格
高度1.02mm
晶体管材料Si
类别功率MOSFET
长度3.04mm
典型输入电容值@Vds830pF@10V
通道模式增强
安装类型表面贴装
每片芯片元件数目1
最大漏源电阻值50mΩ
通道类型P
BoardLevelComponentsY
最高工作温度+150°C
最大栅阈值电压0.95V
最低工作温度-55°C
最大功率耗散1.3W
最大栅源电压±8V
宽度1.4mm
尺寸3.04x1.4x1.02mm
最小栅阈值电压0.4V
最大漏源电压12V
典型接通延迟时间11ns
典型关断延迟时间250ns
封装类型微型
最大连续漏极电流4.3A
引脚数目3
晶体管配置单
典型栅极电荷@Vgs10nC@5V
工厂包装数量3000
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage-12V
晶体管极性P-Channel
RdsOn-Drain-SourceResistance50mOhms
Pd-PowerDissipation1.3W
品牌InfineonTechnologies
Id-ContinuousDrainCurrent-4.3A
封装Reel
身高1.1mm
安装风格SMD/SMT
长度2.9mm
封装/外壳SOT-23-3
通道数1Channel
Qg-GateCharge10nC
Vgs-Gate-SourceVoltage8V
晶体管类型1P-Channel
技术Si
RoHSRoHSCompliant
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
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公司部分现货：
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等
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美系外资认为，近两个月存储器价格大幅下修，生产商转移价格困难，出现库存过剩的情况，预估年底前出货量将持续下降，DRAM面临短期供需失衡的情况恐递延，高库存情况恐延续到明年第1季，明年恐将出现供应通货膨胀的状况，在供应需求不平衡的情况下，市场将对定价续存疑虑，明年全年可能不会出现复苏的风险增高。
NAND虽也面临市场悲观情绪，美系外资指出，NAND预估在明年下半年有机会出现稳定;由于看淡存储器产业，美系外资预警存储器价格恐持续走跌。
然而，半导体封测大厂南茂董事长郑世杰今(17)日表示，明年存储器和驱动IC封测看佳，扩产存储器封装新品，预估第2季之后整体业绩逐季成长。业内人士预计，南茂明年业绩有望年增1成。
展望明年营运，郑世杰表示，明年第1季业绩有望符合季节性淡季表现落底，第2季开始有望逐季增温，预估下半年业绩表现走扬，主要在存储器封装出货可明显放量，明年下半年驱动IC封测产能有望填满。
郑世杰指出，南茂持续深耕车用与工业用产品封测，此外整体封装和测试产能，都有产能保证，持续掌握3年产能保障协议。
业内人士预估，南茂明年第2季业绩开始有望逐季成长，明年整体业绩有望较今年成长1成，目前车用和工业用占比约9%到10%区间。
展望明年资本支出，南茂预期，明年资本支出规模约年营业额20%到25%水准，明年超过一半资本支出主要以驱动IC封测为主。
在DRAM部分，郑世杰指出，目前除了移动存储器之外，也深耕多项DRAM封装新品，预估明年第1季有望完成，预期下半年新品业绩有望发酵，明年DRAM封装业绩成长可期。
在Flash部分，南茂表示，在NAND型快闪存储器封测新品持续进行，明年下半年有望发酵。
业内人士指出，南茂持续与美光维持密切合作，南茂给美光DRAM封装全产能或能达到每月5000万颗。
