IRLML2502TRPBF TI 场效应管FET-MOSFET-N沟道 20V 4.2A SOT-23 1.25W 大量库存原装现货
IRLML2502TRPBF产品详细规格
文档 IRLML2502TR Saber Model
IRLML2502TR Spice Model
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 45 mOhm @ 4.2A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 12nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 740pF @ 15V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3Micro
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 4.2 A
RDS -于 45@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 7.5 ns
典型上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 54 ns
典型下降时间 26 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.2V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 20V
供应商设备封装 Micro3?/SOT-23
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 45 mOhm @ 4.2A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
输入电容（Ciss ） @ VDS 740pF @ 15V
其他名称 IRLML2502PBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS 12nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流（最大值） 4.2 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 1.25 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.045 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 Micro
引脚数 3
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 4.2 A
删除 Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :4.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.035ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
associated IRLML2502PBF631954
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
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公司部分现货：
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等
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美系外资认为，近两个月存储器价格大幅下修，生产商转移价格困难，出现库存过剩的情况，预估年底前出货量将持续下降，DRAM面临短期供需失衡的情况恐递延，高库存情况恐延续到明年第1季，明年恐将出现供应通货膨胀的状况，在供应需求不平衡的情况下，市场将对定价续存疑虑，明年全年可能不会出现复苏的风险增高。
NAND虽也面临市场悲观情绪，美系外资指出，NAND预估在明年下半年有机会出现稳定;由于看淡存储器产业，美系外资预警存储器价格恐持续走跌。
然而，半导体封测大厂南茂董事长郑世杰今(17)日表示，明年存储器和驱动IC封测看佳，扩产存储器封装新品，预估第2季之后整体业绩逐季成长。业内人士预计，南茂明年业绩有望年增1成。
展望明年营运，郑世杰表示，明年第1季业绩有望符合季节性淡季表现落底，第2季开始有望逐季增温，预估下半年业绩表现走扬，主要在存储器封装出货可明显放量，明年下半年驱动IC封测产能有望填满。
郑世杰指出，南茂持续深耕车用与工业用产品封测，此外整体封装和测试产能，都有产能保证，持续掌握3年产能保障协议。
业内人士预估，南茂明年第2季业绩开始有望逐季成长，明年整体业绩有望较今年成长1成，目前车用和工业用占比约9%到10%区间。
展望明年资本支出，南茂预期，明年资本支出规模约年营业额20%到25%水准，明年超过一半资本支出主要以驱动IC封测为主。
在DRAM部分，郑世杰指出，目前除了移动存储器之外，也深耕多项DRAM封装新品，预估明年第1季有望完成，预期下半年新品业绩有望发酵，明年DRAM封装业绩成长可期。
在Flash部分，南茂表示，在NAND型快闪存储器封测新品持续进行，明年下半年有望发酵。
业内人士指出，南茂持续与美光维持密切合作，南茂给美光DRAM封装全产能或能达到每月5000万颗。
