NTR4171PT1G P沟道MOS管 30V SOT-23-3 (TO-236) 百分百进口原装现货特价供应
NTR4171PT1G产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 15.6nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 720pF @ 15V
功率 - 最大 480mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.5 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 480mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 720pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 15.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4171PT1GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 150 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 3.5 A
正向跨导 - 闵 7 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 90 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
漏极电流（最大值） 3.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.5A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.15V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated RE906
80-4-5
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ:3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址：www.xrdz-hk.com
公司部分现货：
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等
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NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G
美系外资认为，近两个月存储器价格大幅下修，生产商转移价格困难，出现库存过剩的情况，预估年底前出货量将持续下降，DRAM面临短期供需失衡的情况恐递延，高库存情况恐延续到明年第1季，明年恐将出现供应通货膨胀的状况，在供应需求不平衡的情况下，市场将对定价续存疑虑，明年全年可能不会出现复苏的风险增高。
NAND虽也面临市场悲观情绪，美系外资指出，NAND预估在明年下半年有机会出现稳定;由于看淡存储器产业，美系外资预警存储器价格恐持续走跌。
然而，半导体封测大厂南茂董事长郑世杰今(17)日表示，明年存储器和驱动IC封测看佳，扩产存储器封装新品，预估第2季之后整体业绩逐季成长。业内人士预计，南茂明年业绩有望年增1成。
展望明年营运，郑世杰表示，明年第1季业绩有望符合季节性淡季表现落底，第2季开始有望逐季增温，预估下半年业绩表现走扬，主要在存储器封装出货可明显放量，明年下半年驱动IC封测产能有望填满。
郑世杰指出，南茂持续深耕车用与工业用产品封测，此外整体封装和测试产能，都有产能保证，持续掌握3年产能保障协议。
业内人士预估，南茂明年第2季业绩开始有望逐季成长，明年整体业绩有望较今年成长1成，目前车用和工业用占比约9%到10%区间。
展望明年资本支出，南茂预期，明年资本支出规模约年营业额20%到25%水准，明年超过一半资本支出主要以驱动IC封测为主。
在DRAM部分，郑世杰指出，目前除了移动存储器之外，也深耕多项DRAM封装新品，预估明年第1季有望完成，预期下半年新品业绩有望发酵，明年DRAM封装业绩成长可期。
在Flash部分，南茂表示，在NAND型快闪存储器封测新品持续进行，明年下半年有望发酵。
业内人士指出，南茂持续与美光维持密切合作，南茂给美光DRAM封装全产能或能达到每月5000万颗。
