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PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装(SiP)中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET

2023-12-21 15:20:00
  • PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装(SiP)中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS(ON)为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。

PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压(VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁(UVLO)保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器,用于防止过流和过热。


该器件采用紧凑型15mmx7mmx1mmVFQFPN封装。


FEATURES

电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET

RDS(ON)1.38?

BVDSS600V

配置选项:

全桥

双独立半桥

低侧和高侧UVLO保护

3.3V至15V兼容输入,具有迟滞和下拉功能

内置自举二极管

独立比较器

可调节的死区时间

材料清单减少

紧凑、简化的布局

灵活的设计

工作温度范围:-40°C至125°C

15mmx7mmx1mmVFQFPN封装

应用

工业风扇和泵

烹饪护罩和气体加热器

鼓风机

工业驱动器

工厂自动化

电源装置