IRLML2502TRPBF产品详细规格
文档IRLML2502TRSaberModel
IRLML2502TRSpiceModel
RohsLeadfree/RoHSCompliant
标准包装3，000
FET型MOSFETN-Channel，MetalOxide
FET特点LogicLevelGate
漏极至源极电压（VDSS）20V
电流-连续漏极（编号）@25°C4.2A
Rds（最大）@ID，VGS45mOhm@4.2A，4.5V
VGS（TH）（最大）@Id1.2V@250μA
栅极电荷（Qg）@VGS12nC@5V
输入电容（Ciss）@Vds的740pF@15V
功率-最大1.25W
安装类型SurfaceMount
包/盒TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装Micro3?/SOT-23
包装材料Tape&Reel(TR)
包装3Micro
通道模式Enhancement
最大漏源电压20V
最大连续漏极电流4.2A
RDS-于45@4.5VmOhm
最大门源电压±12V
典型导通延迟时间7.5ns
典型上升时间10ns
典型关闭延迟时间54ns
典型下降时间26ns
工作温度-55to150°C
安装SurfaceMount
标准包装CutTape
标准包装Tape&Reel
FET特点LogicLevelGate
封装Tape&Reel(TR)
安装类型SurfaceMount
电流-连续漏极（Id）@25°C4.2A(Ta)
的Vgs（th）（最大）@Id1.2V@250μA
漏极至源极电压（Vdss）20V
供应商设备封装Micro3?/SOT-23
开态Rds（最大）@Id，VGS45mOhm@4.2A，4.5V
FET型MOSFETN-Channel，MetalOxide
功率-最大1.25W
输入电容（Ciss）@VDS740pF@15V
其他名称IRLML2502PBFTR
闸电荷（Qg）@VGS12nC@5V
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RoHS指令Leadfree/RoHSCompliant
漏极电流（最大值）4.2A
频率（最大）NotRequiredMHz
栅源电压（最大值）?12V
输出功率（最大）NotRequiredW
功率耗散1.25W
噪声系数NotRequireddB
漏源导通电阻0.045ohm
工作温度范围-55Cto150C
包装类型Micro
引脚数3
极性N
类型PowerMOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率NotRequired%
漏源导通电压20V
功率增益NotRequireddB
弧度硬化No
连续漏极电流4.2A
删除Compliant
晶体管极性:NChannel
ContinuousDrainCurrentId:4.2A
DrainSourceVoltageVds:20V
OnResistanceRds(on):0.035ohm
Rds(on)TestVoltageVgs:4.5V
ThresholdVoltageVgs:1.2V
Weight(kg)0
TariffNo.85412900
associatedIRLML2502PBF631954
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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根据中国台湾电子时报网站消息，有行业消息人士透露，2018年三季度三星电子在中国只交付了60万部手机。预计整个2018年度，三星电子中国区手机销量只有300万部。
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由于中国销量下滑，三星电子手机业务已经开始转战印度。截至目前，三星电子在印度的手机产量已达到6000万部，并着手在印度投资建厂。
来自市场调研机构co117;nterpoint报告数据，三季度内全球手机出货量同比下滑3%，跌至3.868亿台。三星尽管仍以7230万部位列全球第一，但同比下滑了13%。华为则以出货5200万部排名第二，同比增长33%。
随着国产品牌的崛起，目前的中国智能手机市场开始形成新的格局。以往三星苹果"两强争霸"的局面，已经逐步转向华米OV和苹果的"4+1"新局面。
不过，根据报告显示，三季度内的全球智能手机销量还在继续下滑，而这已经是全球智能手机市场连续第四个季度出现同比下滑。
