标准包装 5，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 OptiMOS??
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 11.4A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V@110μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 44nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF@50V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 156W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
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